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J-GLOBAL ID：200903039515465315

半導体装置

Inventor： 馬場 嘉朗 ,  大澤 明彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996014391
Publication number (International publication number)：1997213951
Application date： Jan. 30, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 オン電圧およびオン抵抗が小さく、しかもトレンチコーナー部の電流集中の抑制されたU溝(トレンチ)を有した絶縁ゲート型半導体装置を実現する。【解決手段】 トレンチ側壁の面方位が{100}面、およびこの{100}面と135°の角をなす{110}面のみからなるU溝を有した絶縁ゲート型半導体装置であって、その平面パターンは八角形セルと、この八角形セルに囲まれた正方形セルからなる複合セルを基本とするパターンであり、このU溝中にゲート酸化膜、およびゲート電極を構成する。

Claim (excerpt)：

U溝中にゲート酸化膜とゲート電極層とを有する絶縁ゲート型半導体装置であって、該U溝は低次のミラー指数を有する面のみからなる複数の側壁面を有し、該複数の側壁面のうちの、隣接する側壁面相互の交叉する内角が120°以上であることを特徴とする半導体装置。

FI (4)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-008375
  
• 縦型MOSFET装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-041928   Applicant：オムロン株式会社