デバイスなどの物体をエピタキシャル成長させる装置用のサセプタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997530071
Publication number (International publication number)：2000505410
Application date： Feb. 21, 1997
Publication date： May. 09, 2000
Summary：

【要約】a)SiC、b)第3B族チッ化物およびc)これらの合金のうちの1つの物体をサセプタに受け入れられるようになされた基板上にエピタキシャル成長させる装置のサセプタは、前記基板を受け入れるようになされており、成長のためのソース材料が給送されるチャネル1を有している。前記チャネルを包囲しているサセプタの壁11〜14は、サセプタを包囲するようになされた加熱手段によって発生される誘導によって加熱できる材料製である。サセプタは少なくとも2つの別々のサセプタ壁部分11〜14で作製されており、またサセプタの前記壁部分を互いに固定して、サセプタを形成する手段15を含んでいる。

Claim (excerpt)：

a)SiC、b)第3B族チッ化物およびc)これらの合金のうちの1つの物体を、サセプタに受け入れられる基板上にエピタキシャル成長させる装置のためのサセプタであって、前記基板を受け入れるようになされており、成長のためのソース材料が給送されるチャネル(1、19、20)を有しており、前記チャネルを包囲するサセプタの壁部(11〜14、21)がサセプタを包囲するようになされた加熱手段(18)が発生する誘導によって加熱できる材料製であるサセプタにおいて、サセプタが少なくとも2つの別々のサセプタ壁部分(11〜14、21)で構成されており、サセプタの前記壁部分を互いに固定して、サセプタを形成する手段(15)を含んでいることを特徴とするサセプタ。

IPC (3)：

C30B 25/12 , C30B 29/36 , H01L 21/205

FI (3)：

C30B 25/12 , C30B 29/36 A , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭57-138142
特開平1-294596
特開平3-109721

Show all

Return to Previous Page