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J-GLOBAL ID：200903039521911505

ショットキ-バリアダイオ-ド

Inventor： 荻野 慎次 ,  金丸 浩
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998368778
Publication number (International publication number)：2000196107
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】順方向特性と逆方向特性とのトレードオフの関係を一層改善して、順方向電圧が低く、かつ逆漏れ電流の小さいショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】ショットキーバリアの最も低い第1のショットキー電極11、中間の第2のショットキー電極12、最も高い第3のショットキー電極13の3種類のバリア高さの異なる金属が、第1のショットキー電極11と第3のショットキー電極13との間に第2のショットキー電極12が配置されて、エピタキシャル層42表面上に設けられ、それらの上をAl層14が覆ってアノード電極10を構成している。n+ サブストレート41の裏面にはオーミックなカソード電極20が設けられている。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に、それぞれバリア高さの異なる金属からなる第1のショットキー電極、第2のショットキー電極および第3のショットキー電極を接触させ、それらを電気的に短絡した電極と、半導体基板表面の別の部分に形成したオーミックな電極とを有することを特徴とするショットキーバリアダイオード。

F-Term (15)：

4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF02 ,  4M104FF03 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF35 ,  4M104HH17