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J-GLOBAL ID：200903039525316938

半導体装置

Inventor： 川井 文彰 ,  戸谷 一幸
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 吉田 研二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991227436
Publication number (International publication number)：1993226404
Application date： Sep. 06, 1991
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 集積回路が形成された半導体装置において、チップ面積を縮小するとともに回路素子とボンディングパッドとの配線長を短縮する。【構成】 半導体基板100上に回路素子からなる素子領域10を形成し、ポリイミド等の絶縁層102を積層してその上にボンディングパッド12aからなるボンディングパッド領域12を形成する。回路素子とボンディングパッド12aとの配線接続は絶縁層102に設けたコンタクトホールにより行う。ボンディングパッド領域12を素子領域10の周囲に配置しないため、チップ面積が縮小する。

Claim (excerpt)：

回路素子が形成される素子領域及び電極を外部に取り出すためのボンディングパッドが形成されるボンディングパッド領域を備える半導体装置において、前記ボンディングパッド領域を前記素子領域上に形成することを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-087145
  
• 特開平1-091439
  
• 特開平2-246235