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J-GLOBAL ID：200903039545533153

半導体加速度センサ及びその製造方法

Inventor： 花村 昭宏 ,  室 英夫
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993144519
Publication number (International publication number)：1995005192
Application date： Jun. 16, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体の微細加工技術を利用して形成した、小形で加速度検出感度が高く、かつ感度の自己診断機能が高い、従って精度良好な、半導体加速度センサとその製造方法を提供することにある。【構成】従来の半導体加速度センサの重錘部3の自由端面に、更に、シリコン基板を異方性エッチングして形成した末広がりの延長用重錘部14cを接着して、接着後の重錘部の質量を増大させて加速度検出感度を向上させ、かつ、延長させた重錘部の自由端面積増大により固定電極との間で電圧印加時に作用する静電力を増大させ、加速度検出感度の自己診断機能を高めた。

Claim (excerpt)：

半導体の微細加工技術を利用して、半導体基板面の2個所に平行に溝を形成させ、これらの溝の中間部よりなる重錘部と、重錘部を溝を隔てて囲み重錘部に比較して大質量の物体に取付けられる支持部と、溝底部を形成し重錘部と支持部を連結して重錘部を支持する肉薄な梁部と、梁部の同一面に、重錘部寄りと支持部寄りに対をなして配置されたピエゾ抵抗と、重錘部端面に対向して空間を隔てて平行に、支持部と一体に設置された導電面とを備え、上記半導体基板面に直交する方向に加速度が働き重錘部の慣性により梁部が変形した際、梁部の1対のピエゾ抵抗の抵抗値が加速度の大きさに対応して互いに逆方向に変わる変化量を、加速度の大きさを示す量として検出し、更に、その値と、上記重錘部端面とそれに平行な導電面の間に電圧を印加したとき、静電力により重錘部が移動して生ずるピエゾ抵抗変化量とを比較することにより、加速度検出感度の自己診断を行う半導体加速度センサにおいて、<100>面を表面とするシリコン基板面に、上記半導体基板面の平行溝の間隔以上離して2個所に平行に異方性エッチングによりV字状溝を形成させ、この基板表面の2個所の溝の間の中央が上記重錘部の端面の中央に合致するようにシリコン基板表面を上記半導体基板表面に接着させた後、シリコン基板のV字状溝底部を切断し、接着により両端支持部の中間に新たに形成された重錘部の2基板接着部位より幅の広い端面に平行に空間を隔てて、支持部に接着された台座と一体に形成した導電面を設けたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3)：

G01P 15/12 ,  G01P 21/00 ,  H01L 29/84