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J-GLOBAL ID：200903039561224829
半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998093716
Publication number (International publication number)：1998242569
Application date： Apr. 28, 1989
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 新しいIII-V族系の化合物半導体材料を用いた短波長の半導体レーザを実現する。【解決手段】 pn接合を有する半導体レーザにおいて、n型SiC基板61上に、発光層15をGaAlN系材料からなるp型及びn型のクラッド層14,16で挟んだダブルへテロ構造部が形成され、このダブルヘテロ構造部のp型クラッド層16は一部が凸型に突出したリブ構造に形成され、該リブ構造の両側にn型BPからなる電流阻止層17が形成されている。
Claim (excerpt)：
pn接合を有する半導体レーザにおいて、単結晶基板上に、発光層をGaAlN系材料からなるp型及びn型のクラッド層で挟んだダブルへテロ構造部が形成され、このダブルヘテロ構造部のp型クラッド層は一部が凸型に突出したリブ構造に形成され、該リブ構造の両側に電流阻止層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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