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J-GLOBAL ID：200903039576608500

GaN系半導体装置および、GaN系半導体装置の製造方法

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997043717
Publication number (International publication number)：1998242053
Application date： Feb. 27, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】高品質のエピタキシャル結晶を備えたGaN系半導体装置を提供する。【解決手段】基板表面に膜厚3nm以下のGaN単結晶バッファー層を形成した後、GaN系半導体層の成長を行う。

Claim (excerpt)：

基板表面に膜厚3nm以下のGaN単結晶バッファー層を有すことを特徴とするGaN系半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  H01L 29/20 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-297023
  
• 選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-290193   Applicant：光技術研究開発株式会社
• 特開平4-297023