Pat

J-GLOBAL ID：200903039591986731

半導体製造用サセプタ

Inventor： 北澤 謙治 ,  会田 比呂史
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993227459
Publication number (International publication number)：1995086379
Application date： Sep. 13, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【構成】窒化アルミニウムを主体とする焼結体からなる基体2の表面に窒化アルミニウムからなる薄膜3を0.001〜1.0mmの厚みで形成してなり、基体2内部に、発熱回路4および/または導電回路5を形成したものを半導体製造用サセプタとして用いる。【効果】耐プラズマ性に優れるためプラズマエッチング中でのサセプタの長寿命化が達成でき、しかも、均熱性を有し、発熱回路などを内蔵する場合において、半導体の加熱の均一化を達成することができる。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウムを主体とする焼結体からなる基体の表面に、窒化アルミニウムからなる薄膜を0.001〜1.0mmの厚みで形成してなることを特徴とする半導体製造用サセプタ。

IPC (3)：

H01L 21/68 ,  C04B 41/87 ,  H01L 21/3065