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J-GLOBAL ID：200903039597652576

低誘電率材料、層間絶縁膜及びIC基板

Inventor： 山田 紀子 ,  片山 真吾 ,  松崎 洋市 ,  野上 敦嗣 ,  吉永 郁子
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997008705
Publication number (International publication number)：1998209142
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、LSI用層間絶縁膜、IC基板などに利用される、比誘電率が3.0未満の低誘電率材料を提供するものである。【解決手段】 MO-[SiR1 R2 -O]8-50-M(R1 ,R2 は有機基、MはB,Al,Si,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類の元素)で表される分子構造(A)ならびに、MO-[SiR3 R4-O]1-7 -M(R3 ,R4 は有機基、MはB,Al,Si,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類の元素)で表される分子構造とを含むことにより、低誘電率材料が得られる。分子構造(A)は低密度化することにより低誘電率に寄与する。分子構造(B)は、材料を硬くし、固有振動数が上げるため、固有振動数の2乗に反比例して原子分極を下げる効果がある。

Claim (excerpt)：

(A)一般式MO-[SiR1 R2 -O]8-50-M(R1 ,R2 は有機基、MはB,Al,Si,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類の元素)で表される分子構造、ならびに(B)一般式MO-[SiR3 R4 -O]1-7 -M(R3 ,R4 は有機基、MはB,Al,Si,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類の元素)で表される分子構造とを含むことを特徴とする低誘電率材料。

IPC (3)：

H01L 21/312 ,  H01B 3/46 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/312 B ,  H01B 3/46 Z ,  H01L 21/90 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-250887
  
• 鎖状および環状シロキサンまたはシロキサンオリゴマーの混合物、該混合物の製造方法ならびに該混合物よりなる架橋剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-147111   Applicant：ヒユールスアクチエンゲゼルシヤフト