半導体レーザ光源及びこれを用いた半導体レーザ加工装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000066688
Publication number (International publication number)：2001257434
Application date： Mar. 10, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】等方的なレーザ光を出力でき、小型、フレキシブル、低コストで、しかも複数のレーザダイオードバーを積層することによる高出力化が可能な半導体レーザ光源を提供すること。【解決手段】半導体レーザダイオードを複数個配列してなるレーザダイオードアレイと、レーザダイオードアレイの出力レーザ光のビーム形状を整形するビーム整形器と、レーザダイオードアレイをビーム整形器に光学的に接続するレンズ系とを備えた半導体レーザ光源において、ビーム整形器中に、屈折率が中心軸から外周に向かって2次関数的に減少する透明ロッドを設ける。レーザダイオードアレイの出力レーザ光が透明ロッド内を伝搬することにより、出力レーザ光のビーム品質因子の異方性が解消される。

Claim (excerpt)：

半導体レーザダイオードを複数個配列してなるレーザダイオードアレイと、該レーザダイオードアレイの出力レーザ光のビーム形状を整形するビーム整形器と、前記レーザダイオードアレイを前記ビーム整形器に光学的に接続するレンズ系とを備えた半導体レーザ光源であって、前記ビーム整形器中に、屈折率が中心軸から外周に向かって2次関数的に減少する透明ロッドを有し、前記レーザダイオードアレイの出力レーザ光が前記透明ロッド内を伝搬することにより、前記出力レーザ光のビーム品質因子が等方化されることを特徴とする半導体レーザ光源。

IPC (3)：

H01S 5/40 , B23K 26/08 , G02B 3/00

FI (3)：

H01S 5/40 , B23K 26/08 K , G02B 3/00 B

F-Term (9)：

4E068CE08 , 4E068CK01 , 5F073AB05 , 5F073AB15 , 5F073AB25 , 5F073AB27 , 5F073AB28 , 5F073BA09 , 5F073EA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

光伝送装置、固体レーザ装置、及びこれらを用いたレーザ加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-253637 Applicant：三菱電機株式会社
特開平2-054982
特表平5-501786

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