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J-GLOBAL ID：200903039601124547
ウェハ処理装置及びウェハ処理方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999003032
Publication number (International publication number)：2000208483
Application date： Jan. 08, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ウェハ面内におけるエッチング特性の均一性を向上し得るウェハ処理装置及びウェハ処理方法を得る。【解決手段】 チャンバ1内には、上部電極2a,2bと下部電極6とがプラズマ生成空間10を挟んで対向配置されている。上部電極2a,2bは全体として円板形をしており、円板の中央部分に上部電極2aが、周縁部分に上部電極2bがそれぞれ配置されている。上部電極2a,2bには、図示しない駆動機構がそれぞれ接続されており、上部電極2a,2bは、チャンバ1内において上下方向に相対的に可動である。上部電極2a,2bを駆動することにより、上部電極2aと下部電極6との間の電極間距離La、及び上部電極2bと下部電極6との間の電極間距離Lbをそれぞれ任意に変更することができる。
Claim (excerpt)：
チャンバと、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス導入口と、前記チャンバ内に配置され、被処理対象たるウェハを載置する第1電極と、前記チャンバ内において前記第1電極に対向して配置され、複数のガス噴出口を有する第2電極と、前記第2電極の第1部分に第1電力を供給する第1電源と、前記第2電極の第2部分に第2電力を供給する第2電源とを備え、前記第1電力又は該第1電力の周波数と、前記第2電力又は該第2電力の周波数とを独立に設定可能としたことを特徴とするウェハ処理装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 C
, H05H 1/46 C
5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BA07
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB18
, 5F004BB28
, 5F004BC08
