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J-GLOBAL ID：200903039623290769

トランジスタの製造方法

Inventor： 平尾 孝 ,  吉田 哲久 ,  福本 徹 ,  足立 和泰
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 大前 要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998279891
Publication number (International publication number)：1999168221
Application date： Oct. 01, 1998
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ただ一度の不純物の打ち込みで、LDD構造を有する半導体を製造する。【解決手段】 分子量等、ひいては標的への注入深さの異なることとなる複数の不純物イオンを発生させる原料ガスをプラズマ空間に供給し、これをイオン化した後、電圧で加速して基板上の半導体領域に打ち込む。この際、トップゲート型のトランジスタならば、半導体領域上でのゲート電極は、マスクの作用をなす厚さとしている。ボトムゲート型のトランジスタならば、マスクやレジストを使用する。打ち込み角度は、必要に応じて適切な値とする。

Claim (excerpt)：

基板上の半導体層と該半導体層の上部に形成されたゲート絶縁層と該ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極からなる半導体領域上に、注入深さの異なることとなる不純物元素をイオン化して電圧で加速して打ち込むことによりトランジスタを製造する方法であって、打ち込まれる不純物元素の注入深さから定まる厚さのゲート電極をドーピング時のマスクを兼ねてゲート絶縁層上に形成するゲート電極形成ステップと、少なくも1種の不純物元素の複数の種類の化合物を混合して原料ガスを作る混合ステップと、原料ガスをイオン化室に供給する供給ステップと、原料ガスをイオン化するイオン化ステップと、イオン化された原料ガスに所定の運動エネルギーを与えて基板上の半導体領域に打ち込んでソースまたはドレイン領域を形成するドーピングステップとを有していることを特徴とするトランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265

FI (4)：

H01L 29/78 616 M ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 P ,  H01L 29/78 616 A