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J-GLOBAL ID：200903039632344570

ダイヤモンド半導体及びダイヤモンド半導体デバイス並びにそれらの製造方法

Inventor： 飯田 昌盛 ,  黒須 楯生 ,  秋葉 幸男 ,  広瀬 洋一
Applicant, Patent owner： 学校法人東海大学
Agent (1)： 八木 秀人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992123370
Publication number (International publication number)：1993326543
Application date： May. 15, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ダイヤモンド半導体膜の形成に不可欠であった基板の除去されたダイヤモンド半導体,ダイヤモンド半導体デバイスおよびそれらの製造方法の提供。【構成】 ダイヤモンド半導体膜2の積層一体化された絶縁性基板を化学的エッチング処理により除去して、ダイヤモンド半導体膜2の絶縁性基板1との界面の少なくとも一部を露呈させるようにし、絶縁性基板1の電気的特性の影響を全く受けないダイヤモンド半導体が得られるようにした。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド半導体膜の積層一体化された絶縁性基板が化学的エッチング処理により除去されて、ダイヤモンド半導体膜の絶縁性基板との界面の少なくとも一部が露呈されたことを特徴とするダイヤモンド半導体。

IPC (4)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/80 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-068966
  
• 特開平4-107810
  
• 特開昭61-251158