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J-GLOBAL ID：200903039639952770

磁界シンク層を有する磁気抵抗記憶素子

Inventor： マニシュ・シャーマ ,  トーマス・シー・アンソニー ,  マノイ・バータッチャーヤ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (3)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003120171
Publication number (International publication number)：2004006844
Application date： Apr. 24, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】磁気トンネル接合素子内の強磁性層の縁部において生成される漂遊磁界を低減または排除する構造を提供する。【解決手段】磁気メモリ素子100のような電気磁気素子は、磁気抵抗応答においてオフセットを生じる境界部での漂遊磁界を構造化、減衰または除去するための手段104を含む。この素子は、第1の導電層(108,112)と、この第1の層に電磁的に結合されたシンク層104からなる減衰手段とから構成され、電気的動作中に第1の層(108,112)の境界における漂遊境界磁気抵抗オフセットを減衰させる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

素子スタックをなすように作製して、磁界が該素子スタックの境界部において生成されるようにされた電子素子であって、 前記素子スタック内にあり、動作中に境界部において磁界を生成する少なくとも1つの磁性層と、 前記スタック内の第2の層として作製され、動作中に前記境界部における磁界を変更するためのシンク層 とを含む、電子素子。

IPC (2)：

H01L27/105 ,  H01L43/08

FI (2)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

F-Term (14)：

5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10