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J-GLOBAL ID：200903039645613774

炭素質ナノ構造体の製造方法、炭素質ナノ構造体及びそれを用いた電子源

Inventor： 飯島 竜太 ,  京谷 隆
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  京谷 隆
Agent (1)： 奥田 誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003036697
Publication number (International publication number)：2004243477
Application date： Feb. 14, 2003
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：

【課題】低温で炭素質ナノ構造体を製造できる簡便な方法、並びにその方法により低温で製造された炭素質ナノ構造体及び電子源を提供する。【解決手段】複数のナノホール5を有するナノホール構造体4bを用意する工程と、複数のナノホール5の少なくとも一つの内部に原料ガスを供給して、化学気相成長法により、少なくとも一つのナノホール5の内表面に炭素を堆積させる工程とを包含する。原料ガスは、少なくともジオレフィン系化合物とモノオレフィン系化合物とを含む。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

複数のナノホールを有するナノホール構造体を用意する工程と、 前記複数のナノホールの少なくとも一つの内部に原料ガスを供給して、化学気相成長法により、前記少なくとも一つのナノホールの内表面に炭素を堆積させる工程とを包含し、 前記原料ガスは、少なくともジオレフィン系化合物とモノオレフィン系化合物とを含む、炭素質ナノ構造体の製造方法。

IPC (7)：

B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

FI (7)：

B82B3/00 ,  C01B31/02 101F ,  C23C16/26 ,  H01J9/02 B ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 C ,  H01J1/30 F

F-Term (49)：

4G146AA11 ,  4G146AA15 ,  4G146AB05 ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AD29 ,  4G146AD40 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC32A ,  4G146BC32B ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB00 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA15 ,  4K030JA10 ,  4K030LA18 ,  5C031DD17 ,  5C036EE01 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EG12 ,  5C036EH11 ,  5C036EH26 ,  5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BA13 ,  5C127BA15 ,  5C127BB05 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127CC62 ,  5C127DD02 ,  5C127DD07 ,  5C127DD08 ,  5C127DD22 ,  5C127DD38 ,  5C127DD40 ,  5C127DD78 ,  5C127EE15 ,  5C135AB07 ,  5C135HH15