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J-GLOBAL ID：200903039648298594

使用ずみイオン交換体の処理方法

Inventor： ハッソ・フォン・ブリュッヒャー ,  エルネスト・デ・リュイター
Applicant, Patent owner： ハッソ・フォン・ブリュッヒャー ,  エルネスト・デ・リュイター
Agent (1)： 安達 光雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993062720
Publication number (International publication number)：1994092615
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Apr. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は合成樹脂イオン交換体の処理方法にある。【構成】 使用ずみ粒状有機イオン交換体を、実質的に不活性な雰囲気中で、300〜900°Cの温度で炭化し、その後それを酸化性雰囲気中で活性化して前記イオン交換体を活性炭小粒子へ変換させる。

Claim (excerpt)：

使用ずみ粒状有機イオン交換体を実質的に不活性な雰囲気中で、300〜900°Cの温度で炭化し、ついで酸化性雰囲気中で活性化して前記イオン交換体を活性炭小粒子へ変換させることを特徴とする粒状の使用ずみ有機イオン交換体の処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-308817
  
• 特開昭50-095193