Pat

J-GLOBAL ID：200903039666411799

イオンビーム照射によるキク科植物の突然変異育種法

Inventor： 永吉 実孝 ,  上野 敬一郎 ,  田中 淳 ,  長谷 純宏
Applicant, Patent owner： 鹿児島県 ,  日本原子力研究所
Agent (6)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  深澤 憲広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003119039
Publication number (International publication number)：2004321057
Application date： Apr. 23, 2003
Publication date： Nov. 18, 2004
Summary：

【課題】本発明においては、したがって、従来から使用されている品種の基本的な特性を変えることなく、キク科植物個体において側枝数を減少させて、摘蕾・摘芽作業に割かれていた多くの労力を低減することを課題とする。【解決手段】本発明は、無側枝性または少側枝性の形質を示す改良されたキク科植物個体を提供する。本発明はまた、キク科植物個体由来の植物組織片または植物細胞に対して放射線(イオンビームなど)を照射し、その放射線照射された植物組織片または植物細胞を培養した後に順化・育苗して挿し穂を形成し、その挿し穂を生長させることにより個体を育成し、さらに育成されたキク科植物個体の中から無側枝性または少側枝性の形質を有する個体を選抜することにより、無側枝性または少側枝性の形質を示す改良されたキク科植物個体を生産する方法を提供する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

無側枝性または少側枝性キク科植物個体。

IPC (1)：

A01H5/00

FI (1)：

A01H5/00 Z

F-Term (6)：

2B030AA02 ,  2B030AB03 ,  2B030AD14 ,  2B030AD20 ,  2B030CA10 ,  2B030CB00