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J-GLOBAL ID：200903039677389191

半導体装置のための素子分離領域およびその形成方法

Inventor： 荻原 秀俊
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 佐藤 幸男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997059864
Publication number (International publication number)：1998242260
Application date： Feb. 26, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 活性領域を荒らすことなく、これにはみ出すことなく、容易かつ高精度で素子分離領域を形成する方法を提供する。【解決手段】 基板10の溝14を充填すべく絶縁体18、18′を形成する。絶縁体は、本体部分18a、22aからエッチングストッパ膜12、20を越えて突出する突出部18b、22bを備える。突出部は、活性領域へ向けて張り出すことなく、絶縁体の内方への横方向の段差dを規定する。エッチングストッパ膜、および突出部を含む絶縁体の表面を覆う表面層19、19′が、横方向段差dにほぼ等しい厚さに形成される。エッチングにより、エッチングストッパ膜が露出するまで、表面層が除去され、段差部分に残存する表面層部分により、活性領域へはみ出すことのないサイドウォール部18c、18′cが絶縁体に形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板に活性領域を区画する素子分離領域を形成する方法であって、素子分離領域を構成する絶縁材料の耐エッチング特性と異なる耐エッチング特性を示す絶縁材料からなるエッチングストッパ膜で表面が覆われかつ該表面に活性領域を規定する溝が形成された半導体基板の前記溝に、該溝を充填する本体部分および該本体部分から一体的に前記エッチングストッパ層を越えて突出しかつ前記本体部分の周壁との間で所定寸法の横方向段差dにより規定された突出部を有する素子分離領域のための絶縁体を形成すること、前記エッチングストッパ膜および該エッチングストッパ膜から突出する前記絶縁体の表面に、前記段差dの寸法にほぼ等しい厚さ寸法を有し前記絶縁体と同一材料からなる表面層を形成すること、異方性エッチングにより、前記エッチングストッパ膜が露出するまで、前記表面層を除去し、前記段差の部分に活性領域へはみ出すことのないサイドウオール部を前記絶縁体に形成すること、前記エッチングストッパ膜を除去すること、とを含む、半導体装置のための素子分離領域形成方法。