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J-GLOBAL ID：200903039692444581
走査型トンネル顕微鏡を用いた磁区または磁気構造の観察方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992013483
Publication number (International publication number)：1993203713
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Aug. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ナノオーダの磁区観察技術を提供することにある。【構成】 STMのトンネル電流検出チップ1にコイル3を用いてバイアス磁場を加え、物質2の磁区の方向とトンネル電流検出チップ1の磁化の方向が平行か反平行かによるトンネル電流のコンダクタンスの差を検出し、物質2の磁区を知る。【効果】 ナノメータオーダの分解能を持つ磁区観察が可能となる。
Claim (excerpt)：
トンネル電流検出チップにバイアス磁場を加え、トンネル電流を測定することにより、物質の磁区または磁気構造、およびそれらの磁化の向きを観察することを特徴とする走査型トンネル顕微鏡を用いた磁区または磁気構造の観察方法。
IPC (4)：
G01R 33/12
, G01R 33/10
, H01J 37/28
, G01B 7/34
