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J-GLOBAL ID：200903039693636778

イオンスラスタ

Inventor： 北村 正治 ,  吉田 英樹
Applicant, Patent owner： 科学技術庁航空宇宙技術研究所長 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992123692
Publication number (International publication number)：1993321822
Application date： May. 15, 1992
Publication date： Dec. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】良好な放熱性能を発揮するイオンスラスタを提供する。【構成】複数の小孔2を備えたシールドケース1内に放電容器3が配置されている。放電容器3の外表面にはアルミナ溶射層からなる高熱輻射率材層12が環状に、かつ軸心線方向へ一定の間隔をもって設けられている。これら高熱輻射率材層12の間に存在するギャップには、このギャップを埋める関係に導電材層13が設けられている。この導電材層13は放電容器3と同じ電位に保たれている。

Claim (excerpt)：

複数の小孔を備えたシールドケースと、このシールドケース内に配設された放電容器と、この放電容器に接続されて上記放電容器内に作動ガスを導入するガス導入系と、このガス導入系によって導かれた作動ガスを電離させて前記放電容器内にプラズマを生成する手段と、前記放電容器に取り付けられて上記放電容器の内壁から離れた領域にプラズマを保持するためのカスプ磁場を形成する複数の磁石と、前記プラズマ中のイオンを取り出し加速して前記放電容器の外部へ送り出す加速電極とを備えたイオンスラスタにおいて、前記放電容器は、外表面が高熱輻射率材を露出させた表面領域と電位変化抑制のための導電材を露出させた表面領域とによって形成されていることを特徴とするイオンスラスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-124876
  
• 特開平2-201198
  
• 特開昭63-124876
  
• 特開平2-201198