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J-GLOBAL ID：200903039702635305

半導体発光装置

Inventor： 小屋 賢一 ,  井上 登美男 ,  内 義文
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998021798
Publication number (International publication number)：1999220176
Application date： Feb. 03, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ツェナーダイオードを静電気保護素子として発光素子と複合素子化したアセンブリの半導体発光装置において、保護機能及び動作電圧の両方を最適化することによって耐久性の向上及び消費電力の削減を図る。【解決手段】 静電気保護用のツェナーダイオード6とフリップチップ型の発光素子1とを複合素子化してリードフレーム10等に搭載する発光装置において、ツェナーダイオード6のSi基板のキャリア濃度を2×1018cm-3〜1×1019cm-3の範囲とし、ツェナーダイオードの動作電圧の低減と半導体発光素子の静電気保護に必要なツェナー電圧Vzを確保することにより、消費電力の低下及び半導体発光素子の破壊防止を図る。

Claim (excerpt)：

静電気保護用のSiダイオードをリードフレームまたは基板等の基材の搭載面に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子を前記Siダイオードに搭載してp側及びn側が逆極性となるよう導通接続し、前記半導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、前記SiダイオードのSi基板のキャリア濃度を2×1018cm-3〜1×1019cm-3の範囲としてなる半導体発光装置。