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J-GLOBAL ID:200903039710753414
スパツタリングターゲツト
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991179207
Publication number (International publication number):1993005177
Application date: Jul. 19, 1991
Publication date: Jan. 14, 1993
Summary:
【要約】【目的】クロムとシリコンと酸素からなる高比抵抗の薄膜を長期にわたって安定かつ安価に形成することのできるスパッタリングターゲットを提供する。【構成】クロムと二酸化珪素の粉末の粒度を選別し、充分に加熱乾燥した後、50〜80重量%のクロム,残部が二酸化珪素の比率となるよう混合し、型に詰めて熱間プレス等により焼結する。これにより、2相混合組織を有するスパッタリングターゲットを得る。【効果】均質かつ長時間の放電に耐えることのできるターゲットにより、広い面積に均質なCr-Si-O薄膜を再現性良く得ることができる。
Claim (excerpt):
金属クロム(Cr)と二酸化珪素(SiO2)の混合比が20〜80重量%クロム(Cr)、望ましくは50〜80重量%Crであり,残部が二酸化珪素(SiO2)からなる焼結一体物であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
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