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J-GLOBAL ID：200903039726515858
3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997322131
Publication number (International publication number)：1999145566
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：
【要約】【課題】レーザダイオードの共振器端面の表面の平坦性を向上させ、端面での光反射率を向上させる。【解決手段】基板1上に3族窒化物半導体から成る複数の層2〜9を形成する。MQW構造の活性層6が片側のnガイド層5とnクラッド層4、他方側のpガイド層7とpクラッド層8とで挟まれている。共振器部分を残して他の部分をエッチングにより除去することで、共振器をメサ型に形成する。共振器のメサ型エッチングを共振器の端面の基板面に平行な幅Dが、電流が基板面に垂直に流れる共振器の本体部の幅Wに比べて長くなり、共振器が「I」字形状となるように行なう。共振器をメサエッチングで残す場合に、端面のエッジ部分が丸くエッチングされるが、この丸みは端面の中央部には現れない。これにより、実質上光の反射する端面の平面度が向上する。
Claim (excerpt)：
基板上に3族窒化物半導体から成る複数の層を形成し、共振器部分を残して他の部分をエッチングにより除去することで、共振器をメサ型に形成した3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、前記基板上に3族窒化物半導体から成る各層を形成し、前記共振器のメサ型エッチングを共振器の端面の基板面に平行な幅が、電流が基板面に垂直に流れる共振器の本体部の幅に比べて長くなるようにエッチングすることを特徴とする3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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