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J-GLOBAL ID：200903039744679582

pn接合型有機ダイオードとその製造方法

Inventor： 金藤 敬一 ,  高嶋 授 ,  金子 昌充
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001086331
Publication number (International publication number)：2002289877
Application date： Mar. 23, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】 従来のシリコン系pn接合型ダイオードと同等のダイオード性能を持つpn接合型有機ダイオードを提供する。【解決手段】 p型層およびn型層を備えるpn接合型ダイオードであって、p型層がポリチオフェン系高分子膜等の有機材料からなり、n型層が電解析出された酸化チタン薄膜からなる。

Claim (excerpt)：

p型層およびn型層を備えるpn接合型ダイオードであって、p型層が有機材料からなり、n型層が酸化チタン薄膜からなることを特徴とするpn接合型有機ダイオード。

IPC (2)：

H01L 29/861 ,  H01L 51/00

FI (2)：

H01L 29/91 G ,  H01L 29/28