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J-GLOBAL ID:200903039746856457

電子サイクロトロン共鳴プラズマCDV装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991241195
Publication number (International publication number):1993082449
Application date: Sep. 20, 1991
Publication date: Apr. 02, 1993
Summary:
【要約】【目的】均一な薄膜を形成できるECRプラズマCVD装置を提供する。【構成】マイクロ波発振器100で発生したマイクロ波を、マイクロ波分配器101、アイソレータ102、スタブチューナ107を介して導波管103中を伝播させて空洞室108に導入し、さらにボールアンテナ109、同軸管110、112、同軸コネクタ111を介してプラズマ生成室204内のスリット付金属板113に供給してプラズマを発生させ、磁気コイル214で磁界を発生させて電子サイクロトロン共鳴を起こし、これにより反応容器208内で反応ガスを解離させて生成物を堆積させる電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD装置において、プラズマ生成室内に2枚のスリット付金属板113を対向して設置し、2枚のスリット付金属板113へのマイクロ波の供給点を対角の位置に配置する。
Claim (excerpt):
マイクロ波発振器で発生したマイクロ波を、マイクロ波分配器、アイソレータ、スタブチューナを介して導波管中を伝播させて空洞室に導入し、さらにボールアンテナ、同軸管、同軸コネクタを介してプラズマ生成室内のスリット付金属板に供給してプラズマを発生させ、磁気コイルで磁界を発生させて電子サイクロトロン共鳴を起こし、これにより反応容器内で反応ガスを解離させて生成物を堆積させる電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD装置において、プラズマ生成室内に2枚のスリット付金属板を対向して設置し、2枚のスリット付金属板へのマイクロ波の供給点を対角の位置に配置したことを特徴とする電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD装置。
IPC (7):
H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  G01N 24/14 ,  G01R 33/64 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H05H 1/18

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