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J-GLOBAL ID：200903039759021010

炭素クラスター含有硬質膜の製造方法

Inventor： 鯉沼 秀臣 ,  ▲吉▼本 護 ,  橋口 正一 ,  永田 裕俊
Applicant, Patent owner： 住友大阪セメント株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994248851
Publication number (International publication number)：1996091818
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 炭素クラスターを含有する硬質膜を効率よく、安価に製造する方法の提供。【構成】 不活性ガス(例えばHe、好ましくは20Torr未満の圧力)中において、高純度SiC(又はSiC-C又はSiC-Si等)からなるターゲットに、パルスレーザーによる融蝕処理(アブレーション)を施して、SiC母材中に炭素クラスター(C60,C70など)粒子が分散含有されている硬質膜を製造する。

Claim (excerpt)：

不活性ガス雰囲気中において、高純度炭化珪素複合材からなるターゲットに、パルスレーザーによる融蝕処理を施して、炭化珪素母材中に、炭素クラスター粒子が分散含有されている硬質膜を製造する方法。

IPC (4)：

C01B 31/36 ,  B01J 19/12 ,  C01B 31/02 101 ,  C04B 35/565