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J-GLOBAL ID：200903039761335358

新規高分子錯体およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子

Inventor： 城戸 淳二 ,  森 利隆 ,  鈴木 隆之
Applicant, Patent owner： ケミプロ化成株式会社
Agent (1)： 友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999283577
Publication number (International publication number)：2001106782
Application date： Oct. 04, 1999
Publication date： Apr. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ?@新規高分子錯体の提供、?A有機エレクトロルミネッセント素子において、ホール輸送層の緩衝層に新規高分子錯体を用いて改良することにより、仕事関数を大きくしてホールの注入効率を上げ、駆動電圧を下げた有機エレクトロルミネッセント素子の提供。【解決手段】 (A)ポリアニリン類と(B)下記一般式(1)【化1】(式中、R1は水素またはメチル基、R2、R3、R4およびR5は水素およびアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、Xは水素およびアルカリ金属よりなる群から選ばれたものである。)で示される繰り返し単位をもつポリスチレン系スルホン酸類とからなる高分子錯体およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子。

Claim (excerpt)：

(A)ポリアニリン類と(B)下記一般式(1)【化1】(式中、R1は水素またはメチル基、R2、R3、R4およびR5は水素およびアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、Xは水素およびアルカリ金属よりなる群から選ばれたものである。)で示される繰り返し単位をもつポリスチレン系スルホン酸類とからなる高分子錯体。

IPC (4)：

C08G 73/00 ,  C08L 79/00 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22

FI (4)：

C08G 73/00 ,  C08L 79/00 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 D

F-Term (26)：

3K007AB00 ,  3K007AB03 ,  3K007AB05 ,  3K007AB06 ,  3K007AB15 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  4J002BC12X ,  4J002BJ00X ,  4J002CM01W ,  4J002GP00 ,  4J002GQ02 ,  4J043PA02 ,  4J043QB02 ,  4J043QC02 ,  4J043RA02 ,  4J043SA05 ,  4J043SB01 ,  4J043UA121 ,  4J043ZB21 ,  4J043ZB26 ,  4J043ZB47