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J-GLOBAL ID：200903039761473980

熱処理装置

Inventor： 田中 澄 ,  藤川 雄一郎 ,  米永 富廣
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993132595
Publication number (International publication number)：1994326078
Application date： May. 10, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 被処理体の汚染防止及び均一な加熱温度制御を可能にする。【構成】 処理室10内に収容されるサセプタ40によって隙間sをおいて半導体ウエハWを保持する。加熱ランプ30を、回転体33に取付けられた複数組に組分けされる加熱ランプ体からなる加熱ランプ群にて形成する。これにより、加熱ランプ30からの光エネルギー線がサセプタ40全面に照射されてサセプタ40が加熱され、加熱されたサセプタ40からの熱が半導体ウエハWに均一に伝熱される。

Claim (excerpt)：

被処理体を保持する保持手段を収容する処理室と、上記保持手段側から上記被処理体に対して光エネルギー線を照射する加熱手段とを具備する熱処理装置において、上記被処理体の裏面と上記保持手段との間に隙間をおいて被処理体を保持し、上記加熱手段を、回転体に取付けられた複数組に組分けされるランプ体からなる加熱ランプ群にて形成してなることを特徴とする熱処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/324