Pat
J-GLOBAL ID:200903039775881312

半導体装置実装用基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 川瀬 幹夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991175650
Publication number (International publication number):1993021523
Application date: Jul. 17, 1991
Publication date: Jan. 29, 1993
Summary:
【要約】【目的】 信頼性の高い半導体装置の実装を得る。【構成】 一面側に導体4を具備し、ボールボンディング用ワイヤボンダにより一端が切断されて形成されたバンプ電極2を具備した半導体装置1が、フェースダウンボンディングされる半導体装置実装用基板3において、半導体装置実装用基板3の導体4上であって前記バンプ電極2に対向する部分に、前記バンプ電極2の外径よりも小さく、前記バンプ電極2の先端のワイヤ残り部2aがおさまる凹部4aを形成し、その凹部4aに、導電性樹脂5を塗布し、半導体装置1を実装した。【効果】 ワイヤ残り部2aが凹部4aに挿入されて実装されるため、半導体装置1と半導体装置実装用基板3が略平行に保て、各バンプ電極2と導体4が、ばらつきの大きいワイヤ残り部2aに無関係に極めて安定して略均等の強さで接合でき、機械的、熱的ストレスに対して強くなり、実装の信頼性が向上する。
Claim (excerpt):
少なくとも一面側に導体を具備し、ボールボンディング用ワイヤボンダにより一端が切断されて形成されたバンプ電極を具備してなる半導体装置が、フェースダウンボンディングされる半導体装置実装用基板において、該半導体装置実装用基板の導体上であって前記バンプ電極に対向する部分に、前記バンプ電極の外径よりも小さく、少なくとも前記バンプ電極の一端端のワイヤ残り部がおさまる凹部を形成したことを特徴とする半導体装置実装用基板。
IPC (4):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/321 ,  H01L 23/12
FI (2):
H01L 21/92 C ,  H01L 23/12 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開平2-206137
  • 特開平2-105548
  • 特開昭62-049636
Show all

Return to Previous Page