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J-GLOBAL ID：200903039778073977

圧電体薄膜素子

Inventor： 島田 勝人
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993137892
Publication number (International publication number)：1994350154
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 圧電特性、強誘電体特性、焦電特性を向上することである。【構成】 <111>配向Pt膜が形成された基板上に、化学式がPb<SB>1+Y</SB>(Zr<SB>X</SB>Ti<SB>1-X</SB>)O<SB>3+Y</SB>で、組成比が、0≦X<0.55、0≦Y≦0.5の範囲にあり、結晶構造が菱面体晶系のチタン酸ジルコン酸鉛膜であって、前記基板の主面垂直方向に対して、前記チタン酸ジルコン酸鉛膜の<111>配向度が70%以上である圧電体薄膜素子。または、<100>配向Pt膜が形成された基板上に、化学式がPb<SB>1+Y</SB>(Zr<SB>X</SB>Ti<SB>1-X</SB>)O<SB>3+Y</SB>で、組成比が、0.55≦X<1、0≦Y≦0.5の範囲にあり、結晶構造が正方晶系のチタン酸ジルコン酸鉛膜であって、前記基板の主面垂直方向に対して、前記チタン酸ジルコン酸鉛膜の<001>配向度が70%以上である圧電体薄膜素子。

Claim (excerpt)：

金属膜が形成された基板上に、化学式がPb<SB>1+Y</SB>(Zr<SB>X</SB>Ti<SB>1-X</SB>)O<SB>3+Y</SB>で、組成比が、0≦X<0.55、0≦Y≦0.5の範囲にあり、結晶構造が菱面体晶系のチタン酸ジルコン酸鉛膜であって、前記基板の主面垂直方向に対して、前記チタン酸ジルコン酸鉛膜の<111>配向度が70%以上であることを特徴とする圧電体薄膜素子。

IPC (4)：

H01L 41/08 ,  C01G 25/00 ,  H01L 37/02 ,  G01J 1/02