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J-GLOBAL ID：200903039798562885

半導体装置の製造方法

Inventor： 前田 和夫 ,  徳増 徳 ,  西本 裕子
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体プロセス研究所 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  キヤノン販売株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992142504
Publication number (International publication number)：1993335242
Application date： Jun. 03, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、低温CVD法により形成された絶縁膜の改質方法を含む半導体装置の製造方法に関し、低温の熱的CVD法により形成された絶縁膜の膜質の改良を行うことができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】化学気相成長法により被形成体上に絶縁膜4を形成した後、該被形成体の温度を上げてアンモニア(NH3 )のプラズマガスに曝すことを含み構成する。

Claim (excerpt)：

化学気相成長法により被形成体上に絶縁膜を形成した後、該被形成体の温度を上げてアンモニア(NH3 )のプラズマガスに曝すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-103357
  
• 特公昭58-011729
  
• 特開昭54-163679