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J-GLOBAL ID：200903039798573682

半導体装置の製法およびそれによって得られた半導体装置

Inventor： 伊藤 達志 ,  桑村 誠 ,  福島 喬
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996066502
Publication number (International publication number)：1997260433
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】例えば、5°C程度での保管が可能で、かつ耐湿信頼性に優れた封止材料を用いた、信頼性の高い樹脂封止作業を容易かつ高効率で行うことのできる半導体装置の製法を提供する。【解決手段】配線回路基板3の片面に、貫通孔20を塞ぐよう実装した半導体デバイス4と、封止材6の封止用樹脂層2とを対峙させた状態で、半導体デバイス4を覆うように配線回路基板3面に封止材6を加熱圧着する。その後、上記封止材6の封止用樹脂層2を加熱溶融し、毛管現象により、溶融した封止用樹脂層を、配線回路基板3と半導体デバイス4との空隙内に侵入させ充填させる。とともに、配線回路基板3に穿設された貫通孔20内にも溶融した封止用樹脂層を侵入させ充填させる。つぎに、溶融した封止用樹脂層の充填完了後、この封止用樹脂層を加熱硬化させることにより上記配線回路基板3と半導体デバイス4との空隙を樹脂封止するとともに、貫通孔20を閉塞する。

Claim (excerpt)：

下記の配線回路基板(A)の配線電極に、導電性接着材料を介して半導体デバイスの対応する電極部を当接し上記配線回路基板(A)に半導体デバイスを搭載する工程と、保持基材の片面に封止用樹脂層が形成された封止材を準備する工程と、上記配線回路基板(A)に搭載された半導体デバイスと上記封止材の封止用樹脂層とを対峙させた状態で、配線回路基板(A)と封止材とを重ね合わせる工程と、上記封止材に形成された封止用樹脂層を加熱溶融させ、上記配線回路基板(A)と半導体素子との空隙および貫通孔に、上記封止用樹脂層の溶融物を侵入させて充填し上記配線回路基板(A)と半導体素子との空隙を樹脂封止するとともに貫通孔を閉塞させる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。(A)半導体デバイス搭載位置に少なくとも1個の貫通穴が穿設された配線回路基板。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/30 R