Pat
J-GLOBAL ID：200903039802536320
高効率線形増幅器
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993215435
Publication number (International publication number)：1995074549
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高効率線形増幅器において、DC-DCコンバータ2を使わずに、高効率となる条件で飽和増幅器を駆動し、高効率化と線形性を向上する。【構成】 高効率線形増幅器において、増幅用FETQの一方の電極とスイッチ素子Sの一方の端子とが直列に接続されたユニットFET U を複数個構成し、前記複数個の増幅用FETの他方の電極を並列に接続し、かつバイアス供給電源に接続し、前記複数個のスイッチ素子の他方の端子を並列に接続し、かつ出力信号端子に接続し、前記複数個の増幅用FETの夫々のゲート電極を並列に接続し、かつ入力信号端子に接続し、前記入力信号端子に入力される電力に応じて、前記複数個のユニットFETのうち、1又は複数個のスイッチ素子を駆動制御する制御回路11を構成する。
Claim (excerpt)：
増幅用FETの一方の電極とスイッチ素子の一方の端子とが直列に接続されたユニットFETを複数個構成し、前記複数個のユニットFETの夫々の増幅用FETの他方の電極を並列に接続し、かつバイアス供給電源に接続し、前記複数個のユニットFETの夫々のスイッチ素子の他方の端子を並列に接続するとともに、出力信号端子に接続し、かつバイアス供給電源に接続し、前記複数個の増幅用FETの夫々のゲート電極を並列に接続し、かつ入力信号端子に接続し、前記入力信号端子に入力される電力に応じて、前記複数個のユニットFETのうち、1又は複数個のユニットFETのスイッチ素子を駆動制御する制御回路を構成したことを特徴とする高効率線形増幅器。
IPC (4)：
H03F 1/32
, H03F 1/02
, H03F 3/60
, H03F 3/68
