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J-GLOBAL ID：200903039804684181

ヒドリド気相エピタクシー成長法による無クラックガリウムナイトライド厚膜の製造方法

Inventor： 李 成 國
Applicant, Patent owner： 三星電機株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000398305
Publication number (International publication number)：2001200366
Application date： Dec. 27, 2000
Publication date： Jul. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ヒドリド気相エピタクシー成長法による無クラックガリウムナイトライド厚膜の製造方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板とGaN厚膜との間で発生するストレスを和らげる中間層のGaN中間層をサファイア基板上にまず成長させ、その上に続いてGaN厚膜を成長させることによって無クラックGaN厚膜が得られ、これより基板を分離してGaNウェーハを得る。このGaNウェーハは既存のGaN薄膜に比べて転位密度が107/cm2以下で低くてGaN青色レーザーダイオード(blue LD)の寿命と製造生産性を大きく向上させられるだけでなく高出力、高温分野の電子素子の基本材料として使われる。またこの方法は、反応器内にサファイア基板の装着からGaN中間層の成長、GaN厚膜の成長、成長後反応器からGaN厚膜を取り出す工程が連続的になされる利点もある。

Claim (excerpt)：

サファイア基板を用いてGaN厚膜を製造する際に、前記サファイア基板上にストレスを和らげるための厚さ1乃至100μmのGaN中間層を成長させる段階と、前記GaN中間層上にHVPE法でGaN厚膜を成長させる段階とを含むことを特徴とするヒドリド気相エピタクシー成長法による無クラックGaN厚膜の製造方法。

IPC (3)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323

FI (3)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323