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J-GLOBAL ID：200903039826479220
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020907
Publication number (International publication number)：1993218233
Application date： Feb. 06, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 外部取り付け基板に簡単に取り付けることができる半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 リードフレーム1の裏面に絶縁層10を形成し、絶縁層10の裏面にヒートシンク200を形成する。その後、ヒートシンク200の裏面が露出するようにトランスファーモールドする。絶縁層10によりリードフレーム1とヒートシンク200は絶縁されている。そのため、該半導体装置を導電性の外部取り付け基板に取り付けた場合、半導体装置と外部取り付け基板とを絶縁する必要がなくなる。【効果】 その結果、半導体装置の外部取り付け基板への取り付けが容易になる。
Claim (excerpt)：
放熱板と、前記放熱板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に設置されたリードと、前記リード上に設置され、該リードと電気的に接続された半導体素子と、前記放熱板の裏面が露出しかつ前記リードの一端が突出するように前記放熱板,前記絶縁層,前記リード,前記半導体素子を覆う外装樹脂とを備える半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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