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J-GLOBAL ID：200903039840101400
発光ダイオードおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992136945
Publication number (International publication number)：1993335619
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【目的】 窓層の抵抗を低くし、結晶成長中の活性層へのp型不純物の拡散を抑え、高輝度で信頼性に優れた発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【構成】 窓層6aの正孔濃度を、活性層に近い1μmのみ正孔濃度p=1×1018cm-3とし、残り6μmはp=3×1018cm-3とする。すなわち窓層6aの内、活性層に近い領域のZn濃度を低くすることにより、活性層へのZnの拡散を抑え、活性層中の非発光中心の発生を防ぐことができる。活性層から離れた領域のZn濃度を高くすることにより、窓層6a中の抵抗を低くできる。
Claim (excerpt)：
n型半導体基板上に、n型リン化インジウム・ガリウム・アルミニウムからなるn型クラッド層,リン化インジウム・ガリウムまたはリン化インジウム・ガリウム・アルミニウムからなる活性層,p型リン化インジウム・ガリウム・アルミニウムからなるp型クラッド層を順次成長し、前記p型クラッド層上に、リン化インジウム・ガリウム・アルミニウムまたはヒ化ガリウム・アルミニウムからなる窓層を成長した発光ダイオードであって、前記窓層の前記活性層に近い部分のp型不純物濃度を低くし、前記窓層の前記活性層から遠い部分のp型不純物濃度を高くしたことを特徴とする発光ダイオード。
Patent cited by the Patent：
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