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J-GLOBAL ID：200903039855960574

化合物半導体結晶成長法

Inventor： 根岸 均
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991170804
Publication number (International publication number)：1993021346
Application date： Jul. 11, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】ヘテロ接合電界効果トランジスタに用いられる低温バッファ層を備えた積層結晶構造において、低温バッファ層の特徴であるホールトラップによるキンク現象を低減させ、バッファ層の結晶性を向上させて2DEG層のシートキャリア濃度を増加させ、移動度を向上させる。【構成】分子線エピタキシー法において、低温で成長させた低温バッファ層2の上に緩やかに温度を上昇させながら半低温バッファ層3を成長させる。2DEG層4が生成する領域のバッファ層3の結晶性を向上させる。2DEG層4のシートキャリア濃度が増加し、移動度が向上した。低温バッファ層2までは低温で成長されるので、ホールトラップ密度が増加し、デバイスのキンク現象が低減した。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主面上に、分子線エピタキシー法により通常の成長温度よりも低温で第1のバッファ層を成長させる工程と、継続して緩やかに通常の成長温度まで温度上昇させながら第2のバッファ層を成長させる工程とを含む化合物半導体結晶成長法。

IPC (5)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-133393
  
• 特開昭62-176987
  
• 特開昭60-102729