半導体装置の製造装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998372153
Publication number (International publication number)：2000031226
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】クラスタリングされた製造装置内で、光学的評価により半導体領域上の膜の厚みを測定できる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ロードロック室3を中心として、洗浄用チャンバ1,高速酸化用チャンバ2,光学的測定用チャンバ5などが配置され、クラスタリングされた半導体装置の製造装置を備えている。光学的測定システムには、励起光用光源7,測定光用光源8,光検出器9,制御・解析システム13などが配置されている。例えば、酸化膜の形成時、ウエハを洗浄用チャンバ1で洗浄後、光学的測定用チャンバ5で光変調反射率分光により自然酸化膜の残存程度などを測定し、その後高速酸化用チャンバ2で酸化する。ウエハ表面が大気暴露などにより酸化されることがなく、一連の処理の途中におけるウエハの表面状態をモニターできるので、クラスタリングされた装置を用いた製造工程の管理が可能になる。

Claim (excerpt)：

半導体領域を有するウエハに処理を施すための複数の処理室と、上記複数の処理室を含む空間を大気から遮断した雰囲気に維持するように取り囲む共通容器と、上記共通容器内でウエハを搬送するための搬送手段と、上記共通容器内のいずれかの部位にウエハを設置した状態で上記ウエハの表面状態を光学的に評価するための光学的測定手段とを備えてクラスタリングされていることを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (6)：

H01L 21/66 , G01B 11/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 645 , H01L 21/31

FI (7)：

H01L 21/66 L , H01L 21/66 P , G01B 11/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/304 645 D , H01L 21/31 B , H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

真空処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-087877 Applicant：株式会社日立製作所
気相成長化合物半導体ウェーハの評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-033570 Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
特開平4-215041

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