高エネルギー放射線でのイメージング用フォトレジスト

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：千田稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001164538
Publication number (International publication number)：2002055457
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Feb. 20, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 EUV、電子ビーム、イオンビーム及びX線放射等の高エネルギー放射線源でのイメージングに有用な向上した感受性及び解像度を発揮することができるフォトレジストの提供。【解決手段】本発明の好ましいレジストは、主として他のレジスト化合物と比較して高濃度のフォト酸発生化合物を有する。更なる態様においては、高エネルギー露光に際して向上したフォト酸発生効効率を発揮する化学増幅ポジ型フォトレジストが用いられる。

Claim (excerpt)：

(a)基体に化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のコーティング層を適用し、そのフォトレジスト組成物は樹脂及び1以上のフォト酸発生剤化合物を含み、そこで1以上のフォト酸発生剤化合物がフォトレジスト組成物の全固形分の重量を基準にして少なくとも約5重量パーセントの濃度で存在し;(b)約160nm未満の波長を有する放射線、又は電子ビーム又はイオンビーム放射線でフォトレジストコーティング層を露光する:ことを含む基体にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (15)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC07 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE04 , 2H025BE07 , 2H025BE08 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-287044
特開平4-070662
特開平2-023354

Show all

Return to Previous Page