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J-GLOBAL ID：200903039861902594

ドライエッチング方法

Inventor： 東 良重 ,  久▲禮▼ 得男 ,  村井 二三夫 ,  長谷川 昇雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992076598
Publication number (International publication number)：1993283375
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】三層レジストの中間層無機膜パターンをマスクとしてドライエッチングにより下層有機膜にパターンを形成する際に、有機膜の寸法シフトを抑え、中間層無機膜,被加工膜の削れを防止する。【構成】有機膜をエッチングする際に、ジクロルメタンと酸素の混合ガスを用いる。【効果】中間層無機膜,下層有機膜エッチング時の寸法細りを低減し、被加工膜の削れを防止できる。

Claim (excerpt)：

有機膜をドライエッチングによりパターニングする方法において、エッチングするガスが少なくとも炭素と塩素、または炭素と臭素、または炭素と塩素および臭素の元素を含むことを特徴とするドライエッチング方法。