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J-GLOBAL ID：200903039863080346

半導体レーザ素子

Inventor： 柳澤 浩徳 ,  田中 俊明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993147308
Publication number (International publication number)：1995007219
Application date： Jun. 18, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【構成】量子サイズ効果により、エッチングストップ層7と活性層4の実効的な禁制帯幅の差を十分大きく取ることができる膜厚のエッチングストップ層7が複数層設けられている超格子構造を用いている。また、活性層4の近傍のp型クラッド層6を超格子構造とすることにより、平均キャリア濃度の向上及び実効的な導伝帯エネルギ差の増大を図った。【効果】複数のエッチングストップ層を設けることによりエッチングストップ層薄層化によるストップ効果の低下が補償され、従来の膜厚5nm以上のエッチングストップ層と同等以上のエッチングストップ効果が得られる。

Claim (excerpt)：

第一導伝型GaAs基板上に第一導伝型AlGaInP第一クラッド層,活性層,第二導伝型AlGaInP第二クラッド層,第二導伝型GaInPエッチングストップ層,第二導伝型AlGaInP第三クラッド層を有し、前記活性層は(Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>)<SB>y1</SB>In<SB>1-y1</SB>P(0≦x<SB>1</SB><0.7,0<y<SB>1</SB><1)又は(Al<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>)<SB>y2</SB>In<SB>1-y2</SB>P/(Al<SB>x3</SB>Ga<SB>1-x3</SB>)<SB>y3</SB>In<SB>1-y3</SB>P(0≦x<SB>2</SB><x<SB>3</SB><0.7,0<y<SB>2</SB>,y<SB>3</SB><1)多重量子井戸構造からなり、前記第二導伝型AlGaInP第三クラッド層にリッジ部を有するAlGaInP系リッジ型半導体レーザ素子において、前記GaInPエッチングストップ層は、その量子サイズ効果による遷移発光エネルギが前記活性層の禁制帯幅より十分大きくなる膜厚であり、前記第二導伝型AlGaInP第二クラッド層と略等しい組成の第二導伝型障壁層で挾まれて複数層存在する超格子構造となっていることを特徴とする半導体レーザ素子。