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J-GLOBAL ID：200903039863664887

3-5族化合物半導体結晶

Inventor： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994030067
Publication number (International publication number)：1995240374
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】安価なサファイアの略R面基板上に成長させた高品質な3-5族化合物半導体結晶を提供する。【構成】3族元素として少なくともGa、5族元素として少なくともNを含有する3-5族化合物半導体結晶において、サファイアの略R面基板上に成長させた酸化亜鉛結晶上に成長させてなることを特徴とする3-5族化合物半導体結晶。

Claim (excerpt)：

3族元素として少なくともGa、5族元素として少なくともNを含有する3-5族化合物半導体結晶において、サファイアの略R面基板上に成長させた酸化亜鉛結晶上に成長させてなることを特徴とする3-5族化合物半導体結晶。