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J-GLOBAL ID：200903039872504302

光半導体素子とその製造方法

Inventor：
為本 広昭

About 為本 広昭


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998018262
Publication number (International publication number)：1999204841
Application date： Jan. 13, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 生産性よく製造することができかつ光半導体チップとレンズの光軸との間の位置ずれを少なくできる光半導体素子を提供する。【解決手段】 半導体チップが設けられた支持体と、上記半導体チップを覆うように設けられたレンズとを備え、該レンズを介して光を入出力する光半導体素子であって、上記支持体は、上記レンズに設けられた凹部に上記半導体チップが上記レンズの光軸上に位置しかつ上記半導体チップの入出力面が該光軸に略垂直になるように嵌合されている。
Claim (excerpt)：
半導体チップが設けられた支持体と、上記半導体チップを覆うように設けられたレンズとを備え、該レンズを介して光を入出力する光半導体素子の製造方法において、光の出力面と反対側の面に凹部を備えた1又は複数のレンズを成形する工程と、上記凹部に対応する外形状を有する支持体に、該支持体が上記凹部に挿入されたときに半導体チップが上記レンズの光軸上に位置するようかつ上記半導体チップの入出力面が該光軸に略垂直になるように半導体チップを搭載する工程と、上記半導体チップが搭載された支持体を上記レンズの凹部に嵌合させる工程とを含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法。
FI (2)：
H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 M
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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