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J-GLOBAL ID：200903039876337443

剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ

Inventor： 桑原 登 ,  三谷 清 ,  和田 正衛 ,  アンドレ ジャック オーバートン ハーブ
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  エス オー アイ テック エス・エー
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998114176
Publication number (International publication number)：1999297583
Application date： Apr. 09, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 水素イオン剥離法において副生した剥離ウエーハに、適切な再処理を施して、実際にシリコンウエーハとして再利用することができる方法を提供し、SOIウエーハの生産性の向上と、コストダウンを図る。【解決手段】 水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハに、再処理を加えてシリコンウエーハとして再利用する方法において、前記再処理として、表面酸化膜を除去し、ドナーキラー熱処理を施し、次いで周辺の段差を除去する研磨を行い、最後に仕上げ研磨をすることを特徴とする剥離ウエーハを再利用する方法。

Claim (excerpt)：

水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハに、再処理を加えてシリコンウエーハとして再利用する方法において、前記再処理として少なくとも剥離ウエーハに周辺の段差を除去する研磨を行うことを特徴とする剥離ウエーハを再利用する方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/02 Z ,  H01L 21/304 622 W ,  H01L 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体基体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-264386   Applicant：キヤノン株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-246594   Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
• 半導体基板の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-045441   Applicant：キヤノン株式会社