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J-GLOBAL ID：200903039895297304

不揮発性磁気抵抗メモリのための浮遊磁気遮へい

Inventor： クラレンス・ジェイ・トレイシー ,  ユージン・チェン ,  マーク・ダーラム ,  セオドア・ズ ,  サイード・エヌ・テラニ
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998058843
Publication number (International publication number)：1999238377
Application date： Feb. 24, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】 メモリの実質的なコストの付加なしに、浮遊磁場から遮へいする不揮発性磁気抵抗メモリを提供する。【解決手段】 半導体基板上に位置づけられる不揮発性磁気抵抗メモリ(10)が、不揮発性磁気抵抗メモリ(10)を部分的に、または完全に囲むパッシベーション層(18)によって浮遊磁場から遮へいせられる。そのパッシベーション層(18)は、非導電性フェライト材料(例えば、Mn-Zn-Ferrite,Ni-Zn-Ferrte,MnFeO,CuFeO,FeOまたはNiFeO)を含み、それによって、不揮発性磁気抵抗メモリ(10)を浮遊磁場から遮へいする。非導電性フェライト材料はまた、電力要求を減少させるために、不揮発性磁気抵抗メモリ(10)上に内部で発生する磁場を集束させる層(18)の形態でもよい。

Claim (excerpt)：

不揮発性磁気抵抗メモリのための浮遊磁気遮へい構造であって:基板上に位置づけられ、上側表面を決定する不揮発性磁気抵抗メモリ(10、50);および前記不揮発性磁気抵抗メモリ(10、50)を少なくとも部分的に囲むパッシベーション層(18、60)であって、当該パッシベーション層(18、60)は、フェライト材料を含み、それによって、前記不揮発性磁気抵抗メモリ(10、50)を浮遊磁気から遮へいする、ところのパッシベーション層;から構成されることを特徴とする浮遊磁気遮へい構造。

IPC (2)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (2)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z