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J-GLOBAL ID：200903039920659879

高感度で高レジスト厚さのi線ホトレジスト用スルホニルオキシム類

Inventor： 朝倉 敏景 ,  ハルトムート ブライアー ,  クリストフ デ レオ
Applicant, Patent owner： チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド
Agent (1)： 津国 肇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999231201
Publication number (International publication number)：2000066385
Application date： Aug. 18, 1999
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 優れたレジスト断面を有し、厚いレジスト層でも優れた感度を維持するホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 (a)酸の作用によって架橋させることができる少なくとも1種の化合物および/または(b)酸の作用の下でその可溶性を変化させる少なくとも1種の化合物、ならびに(c)光開始剤としての、240〜390nmの波長の光に露光すると酸を生成させ、i線(365nm)で10未満のモル吸光係数εを有する少なくとも1種の化合物を含むことを特徴とする、光によって活性化することができる組成物;ならびに該組成物を含み、340〜390nmの範囲の放射線に感受性である、化学的に増幅されたホトレジスト。

Claim (excerpt)：

(a)酸の作用によって架橋させることができる少なくとも1種の化合物および/または(b)酸の作用の下でその可溶性を変化させる少なくとも1種の化合物、ならびに(c)光開始剤としての、240〜390nmの波長の光に露光すると酸を生成させ、i線(365nm)で10未満のモル吸光係数εを有する少なくとも1種の化合物を含むことを特徴とする、光によって活性化することができる組成物。

IPC (4)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R