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J-GLOBAL ID：200903039920821137

半導体装置の製造方法

Inventor： 門永 泰男
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999163985
Publication number (International publication number)：2000353706
Application date： Jun. 10, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【目的】 製造コストを増大させることなく半導体基板内の汚染物質を除去し、これにより良好な特性を有する半導体装置を製造するための製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1の一主面上に非晶質半導体からなるアンドープの第1薄膜層2を形成する工程と、該第1薄膜層2上に非晶質半導体からなり一導電型を有する第2薄膜層3を形成する工程と、前記第1薄膜層2及び第2薄膜層3が形成された前記半導体基板1を熱処理する工程と、を備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主面上に非晶質半導体からなるアンドープの第1薄膜層を形成する工程と、該第1薄膜層上に非晶質半導体からなる一導電型の第2薄膜層を形成する工程と、前記第1薄膜層及び第2薄膜層が形成された前記半導体基板を熱処理する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 21/322 P ,  H01L 31/04 B

F-Term (7)：

5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA15 ,  5F051CA32 ,  5F051CA34 ,  5F051CA40 ,  5F051DA04