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J-GLOBAL ID：200903039945150300

高エネルギーでイオン注入し、続いて熱処理することにより製造される、深く、薄い酸化物層を備えたSOI構造

Inventor： ジアンフランコ、チェロフォリーニ ,  ラウラ、メダ
Applicant, Patent owner： イスティテュート、グイド、ドネガニ、ソチエタ、ペル、アツィオーニ
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993136425
Publication number (International publication number)：1994037288
Application date： May. 14, 1993
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】深い、薄い酸化物層を備えたSOI構造の製造方法であって、順次1015〜1016イオン/cm2 の酸素流量における第一イオン注入工程、続いて600〜900°Cの温度における熱処理工程、2〜8x1017イオン/cm2 の酸素流量における第二イオン注入工程、1150〜1400°Cの温度における最終熱処理工程を行う方法。

Claim (excerpt)：

深く、薄い酸化物層を備えたSOI構造の製造方法であって、順次、1015〜1016イオン/cm2 の酸素流量における第一イオン注入工程、続いて600〜900°Cの温度における熱処理工程、2〜8x1017イオン/cm2 の酸素流量における第二イオン注入工程、1150〜1400°Cの温度における最終熱処理工程、を行うことを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76

FI (2)：

H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 A