Pat

J-GLOBAL ID：200903039945525443

TFT基板の製造方法

Inventor： 山本 英明 ,  大原 和博 ,  安生 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996181787
Publication number (International publication number)：1998027910
Application date： Jul. 11, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 TFT基板の品質を良好にし、TFT基板の製造コストを安価にする。【解決手段】 厚さ60nmのCr膜28、厚さ300nmのAl-Si膜29をスパッタリングにより連続成膜し、この上にレジストパターン(図示せず)を形成し、このレジストをマスクにしてAl-Si膜29をリン酸:硝酸:酢酸:水系のエッチング液を使用したウエットエッチングにより加工したのち、Cr膜28をCF4+O2ガスを使用したドライエッチングにより加工し、画素電極24と接続されたソース電極31、映像信号線(図示せず)と接続されたドレイン電極32を形成し、つぎにN+型非晶質Si膜をSF6+HClガスを使用したドライエッチングにより加工し、N+型半導体層27を形成する。

Claim (excerpt)：

ソース電極、ドレイン電極が第1、第2の金属膜から形成されたTFT基板を製造する方法において、上記第1、第2の金属膜を連続成膜したのち、上記第2の金属膜をウエットエッチングにより加工し、上記第1の金属膜をドライエッチングにより加工することを特徴とするTFT基板の製造方法。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3213

FI (6)：

H01L 29/78 616 K ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/306 S ,  H01L 21/88 C