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J-GLOBAL ID：200903039948417471
窒化物半導体レーザ及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤村 元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999180344
Publication number (International publication number)：2000244068
Application date： Jun. 25, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 レーザ構造において高品質な反射鏡面を再現性良く得られる3族窒化物半導体レーザ製造方法を提供する。【解決手段】 3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる結晶層の複数を、劈開性又は裂開性の基板上に、順に積層してなる窒化物半導体レーザの製造方法において、劈開性又は裂開性の基板上に結晶層の複数を形成する結晶層形成工程と、基板及び結晶層間の界面に向け、基板側から光ビームを照射して、窒化物半導体の分解物領域を形成する工程と、分解物領域を交差する直線に沿って基板を劈開又は裂開し、積層した結晶層の共振用劈開面を形成する工程と、を含む。
Claim (excerpt)：
3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる結晶層の複数を、劈開性又は裂開性の基板上に、順に積層してなる窒化物半導体レーザであって、積層した結晶層の共振用劈開面と交差する部分の前記基板及び結晶層間の界面において、前記窒化物半導体の分解物領域を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ。
F-Term (9)：
5F073AA51
, 5F073AA55
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA32
, 5F073DA35
Cited by examiner (5)
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